嵌入式-FLASH操作

FLASH 操作

STM32F4开发指南寄存器版本_V1.2.pdf

详解

What is Flash Memory? | Definition from TechTarget

FLASH为什么写之前为什么要先擦除

FLASH是广义EEPROM EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）
Flash 的编程原理都是只能将 1 写为 0，而不能将 0 写为 1。所以在 Flash 编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为 1 的过程，块内的所有字节变为 0xFF
初识flash芯片—-写之前为什么要先擦除_flash擦除原理-CSDN博客

写入

float  calibrationData[3];		

    FLASH_Unlock();	  \\写 0X45670123 到 FLASH_KEYR2， 写 0XCDEF89AB 到 FLASH_KEYR
    OSTimeDlyHMSM(0,0,0,50,OS_OPT_TIME_PERIODIC,&err);  \\延时
    FLASH_EraseSector(FLASH_Sector_3,VoltageRange_3);

    FLASH_Lock();						

	STMFLASH_Write(Correct_SAVE_ADDR,(int32_t*)&calibrationData,3);  \\写数据

截图_20240719154157

读取

float  calibrationData[3];		

//  调用STMFLASH_Read
STMFLASH_Read(Correct_SAVE_ADDR,(int32_t*)&(calibrationData),3);

// 指针取值，将 addr 强制转换为 float 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址存储的数据
data=*(float*)addr;

// 定义指针，将 Quotient_SAVE_ADDR 强制转换为 float(*)[3] 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
float (*calibrationData)[3]=(float(*)[3])(Quotient_SAVE_ADDR);

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